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技術(shù)文章
技能介紹LED背光源與制作流程
時間:2015-11-23 作者:網(wǎng)絡(luò)編輯 點擊:

一、LED制作流程
LED詳細圖

LED的制作流程包含上游的單晶片襯底制作、外延晶片成長,中游的芯片、電極制作、切開和測驗分選,以及下流的商品封裝。
國際和國內(nèi)MOVCD設(shè)備底子是全進口的,首要廠商為美國VEECO公司和德國AIXTRON公司兩家。
1.上游外延技能
在外延爐(Metal Organic Chemical Vapour Deposition,簡稱MOCVD)高溫高壓無氧環(huán)境下,有機金屬(MO源)和氫化物分解成原子有序地淀積在晶片的外表,變成外延層(Epitaxy)。上游外延制作附加值最高。
2.中游芯片技能
中游廠商依據(jù)LED元件結(jié)構(gòu)的需求,先進行金屬蒸鍍,然后在外延晶片上光罩蝕刻及熱處理而制作LED兩頭的金屬電極,接著將襯底磨薄、拋光后切開為細微的LED芯片,因為襯底較脆且機械加工性差,芯片切開進程的成品率為中游制作時期的要點。中游的最終一步是測驗分選。
3.下流封裝技能
下流是把從中游來的芯片張貼并焊接導(dǎo)線架,經(jīng)由測驗、封膠,然后封裝成各種不一樣的商品。
二、開展半導(dǎo)體照明工業(yè)具有極其首要的戰(zhàn)略意義
1.節(jié)約能源,推進環(huán)保
本亞泰中研信息咨詢有限公司的陳述關(guān)于國際能源危機,照明節(jié)能是完成國家節(jié)能的有效途徑。我國是僅次于美國的第二發(fā)電大國,在我國2004年發(fā)電量2.19萬億度中約有12%用于照明,到2010年照明用電將到達3500億度。專家猜測,2015年后,我國半導(dǎo)體照下一年節(jié)約用電將超越三峽電站全年的發(fā)電量。
我國的電力出產(chǎn)80%為火力發(fā)電,焚燒很多的原煤和石油,發(fā)生很多的粉塵和二氧化碳、二氧化硫等氣體,環(huán)境污染嚴峻,經(jīng)過半導(dǎo)體照明的運用能夠削減電力運用及少污染物的排放;一起,半導(dǎo)體照明自身易于收回,沒有汞等有害污染疑問。

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